特許

J-GLOBAL ID：201303021482764555

NANDフラッシュ・メモリ装置の半導体製造方法

発明者： サルバトーレ エフ・カグニナ ,  ハオ・ファン ,  ジョン・ジアンシ・ワン ,  ケント・クオー・チャン ,  東谷 政昭
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド ,  富士通セミコンダクター株式会社 ,  Spansion Japan株式会社
代理人 (6件)： 片山 修平 ,  横山 照夫 ,  岡本 啓三 ,  片山 修平 ,  片山 修平 ,  岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-587371
特許番号：特許第4896292号
出願日： 1999年11月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 コア領域と周辺領域とを有するNANDフラッシュ・メモリ装置の半導体製造方法であって、 前記コア領域内の半導体基板上にコアフィールド酸化物を形成する工程と、 前記コアフィールド酸化物を形成する工程の後、前記コア領域および前記周辺領域の前記半導体基板内に前記コアフィールド酸化物より深いウエルを形成する工程と、 前記ウエルを形成する工程の後、前記周辺領域の半導体基板上に周辺フィールド酸化物を形成する工程と、を含むことを特徴とするNANDフラッシュ・メモリ装置の半導体製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 481

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 不揮発性半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204354   出願人：三星電子株式会社
• 三重ウェルを有するフラッシュ・メモリ・セルとその製造工程
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-142031   出願人：ヒュンダイエレクトロニクスアメリカインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-317110   出願人：三菱電機株式会社
• MOS型集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320695   出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
• 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-277470   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-318130   出願人：富士通株式会社