特許
J-GLOBAL ID：201303025049778350

化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット

発明者：
元成 正之

元成 正之 について

, 
國谷 英一郎

國谷 英一郎 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  松本 充史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-232625
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065858
出願日： 2012年10月22日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：
【課題】絶縁層を化学機械研磨する際に、絶縁層の物理的性質を変化させずに、材料剥がれやスクラッチなどの表面欠陥が被研磨面に発生することなく精度の高い被研磨面を得ることができる化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに前記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットを提供すること。【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、(A)砥粒、(B)キノリンカルボン酸および/またはピリジンカルボン酸、(C)炭素数4以上の脂肪族有機酸、(D)酸化剤、(E)三重結合を有する非イオン性界面活性剤、および(F)分散媒を含有し、前記(A)砥粒が、平均一次粒子径が5〜55nmかつ会合度が1.9〜4.0のコロイダルシリカである。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体装置に含まれる絶縁層を研磨するための化学機械研磨用水系分散体であって、 (A)砥粒、(B)キノリンカルボン酸および/またはピリジンカルボン酸、(C)炭素数4以上の脂肪族有機酸、(D)酸化剤、(E)三重結合を有する非イオン性界面活性剤、および(F)分散媒を含有し、 前記(A)砥粒が、平均一次粒子径が5〜55nmかつ会合度が1.9〜4.0のコロイダルシリカである、化学機械研磨用水系分散体。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/24 ,  C09K 3/14
FI (7件)：
H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  H01L21/304 622F ,  B24B37/00 H ,  B24B37/00 N ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
Fターム (26件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA05 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F057AA07 ,  5F057AA28 ,  5F057BA18 ,  5F057BA22 ,  5F057CA12 ,  5F057DA03 ,  5F057DA08 ,  5F057EA01 ,  5F057EA07 ,  5F057EA17 ,  5F057EA21 ,  5F057EA22 ,  5F057EA27 ,  5F057EA28 ,  5F057EA31 ,  5F057EA38 ,  5F057EB03 ,  5F057EB09
引用特許：
審査官引用 (6件)
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