検査方法および検査装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-199309
公開番号（公開出願番号）：特開2013-061219
出願日： 2011年09月13日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：

【課題】フォトデバイスにパルス光を照射して検査する際に、パルス光の光強度を適切に設定する技術を提供する。【解決手段】フォトデバイスを検査する検査方法である。この検査方法は、(a) フェムト秒レーザーから出射されるパルス光の光強度を変更しつつ、フォトデバイスの受光面に前記パルス光を照射することによって、前記フォトデバイスから発生する電磁波の電界強度を検出器にて検出する工程と、(b) 前記(a)工程において検出された電磁波の電界強度が最大となるときの前記パルス光の最大時光強度を取得する工程と、(c) 前記(b)工程において取得された前記最大時光強度に基づいて定められる光強度のパルス光を前記フォトデバイスに照射することによって、前記フォトデバイスにて発生する前記電磁波パルスの電界強度を前記検出器にて検出する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フォトデバイスを検査する検査方法において、 (a) フェムト秒レーザーから出射されるパルス光の光強度を変更しつつ、フォトデバイスの受光面に前記パルス光を照射することによって、前記フォトデバイスから発生する電磁波の電界強度を検出器にて検出する工程と、 (b) 前記(a)工程において検出された電磁波の電界強度が最大となるときの前記パルス光の最大時光強度を取得する工程と、 (c) 前記(b)工程において取得された前記最大時光強度に基づいて定められる光強度のパルス光を前記フォトデバイスに照射することによって、前記フォトデバイスにて発生する前記電磁波パルスの電界強度を前記検出器にて検出する工程と、を含む検査方法。

IPC (3件)：

G01N 21/62 , H01L 31/04 , G01M 11/00

FI (3件)：

G01N21/62 Z , H01L31/04 K , G01M11/00 T

Fターム (32件)：

2G043AA03 , 2G043CA05 , 2G043EA10 , 2G043FA01 , 2G043HA02 , 2G043HA06 , 2G043HA09 , 2G043KA01 , 2G043KA02 , 2G043KA05 , 2G043KA08 , 2G043KA09 , 2G043LA02 , 2G043LA03 , 2G043NA01 , 2G043NA05 , 2G086EE01 , 2G086EE03 , 2G086EE04 , 2G086GG01 , 5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151BA11 , 5F151DA03 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151GA04 , 5F151GA15 , 5F151HA03 , 5F151KA09 , 5F151KA10

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体デバイスの検査方法および半導体デバイスの検査装置
公報種別：再公表公報出願番号：JP2008000336 出願人：パナソニック株式会社
半導体デバイスの故障診断方法と装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-202019 出願人：独立行政法人理化学研究所, NECエレクトロニクス株式会社
半導体検査装置及び検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-223612 出願人：浜松ホトニクス株式会社, 国立大学法人大阪大学, 独立行政法人理化学研究所

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