特許
J-GLOBAL ID：201303042248123691

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
小山 潤

小山 潤 について

, 
加藤 清

加藤 清 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-185998
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012764
出願日： 2012年08月27日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：
【課題】電力供給がない状況で記憶保持が可能で、書き込み回数に制限が無い、新たな半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル領域と第1のゲート絶縁層と第1のゲート電極と第1のソース及びドレイン電極とを有する第1のトランジスタと、酸化物半導体層140と第2のソース電極142a及び第2のドレイン電極142bと第2のゲート絶縁層146と第2のゲート電極148aとを有する第2のトランジスタ162と、第2のソース電極142aまたは第2のドレイン電極142bの一方と第2のゲート絶縁層146と第2のゲート絶縁層146上に第2のソース電極142a又は第2のドレイン電極142bの一方と重なるように設けられた第3の電極148bとを有する容量素子164と、を有し、第1のゲート電極と第2のソース電極142a又は第2のドレイン電極142bの一方とは接続され、第3の電極148bは酸化物半導体層140と重なる領域を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の絶縁層を介して半導体領域と重なる領域を有する第1のゲート電極と、 前記第1のゲート電極上の第2の絶縁層と、 前記第2の絶縁層上の、第1の電極及び第2の電極と、 前記第2の絶縁層上の、前記第1の電極及び前記第2の電極と電気的に接続された酸化物半導体層と、 前記第1の電極、前記第2の電極、及び前記酸化物半導体層上の第3の絶縁層と、 前記第3の絶縁層を介して前記第1の電極と重なる領域を有する第3の電極と、 前記第3の絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有する第2のゲート電極と、を有し、 前記第1のゲート電極は、前記第1の電極と電気的に接続され、 前記第3の電極は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613B
Fターム (123件)：
5F083AD01 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP03 ,  5F083EP23 ,  5F083EP53 ,  5F083EP56 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083LA21 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F101BA12 ,  5F101BA17 ,  5F101BA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BH16 ,  5F110AA06 ,  5F110BB06 ,  5F110CC05 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK40 ,  5F110HM03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110PP22 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (6件)
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