熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 高橋俊一 , 伊藤正和 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-162980
公開番号（公開出願番号）：特開2012-254633
出願日： 2012年07月23日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：

【課題】本発明は、硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成型性に優れ、なおかつトランスファー成型時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】熱硬化性成分と白色顔料とを含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成型温度100°C〜200°C、成型圧力20MPa以下、成型時間60〜120秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが5mm以下であり、かつ熱硬化後の、波長350nm〜800nmにおける光反射率が80%以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物を調製し、そのような樹脂組成物を使用して光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、少なくとも前記凹部を光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファー成型によって形成し、前記光反射用熱硬化性樹脂組成物が、熱硬化性樹脂と、(E)白色顔料とを含み、成型温度100°C〜200°C、成型圧力20MPa以下、及び成型時間60〜120秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが5mm以下であり、かつ熱硬化後の、波長350nm〜800nmにおける光反射率80%以上であることを特徴とする、光半導体搭載用基板の製造方法。

IPC (3件)：

B29C 45/02 , C08G 59/42 , H01L 33/60

FI (3件)：

B29C45/02 , C08G59/42 , H01L33/00 432

Fターム (52件)：

4F206AA39 , 4F206AB03 , 4F206AB11 , 4F206AB12 , 4F206AH73 , 4F206JA02 , 4F206JB12 , 4F206JF01 , 4F206JF02 , 4J036AB16 , 4J036AB17 , 4J036AD08 , 4J036AD21 , 4J036AF06 , 4J036AF08 , 4J036AH07 , 4J036DB05 , 4J036DB18 , 4J036DB21 , 4J036DB22 , 4J036DC40 , 4J036DC45 , 4J036DC46 , 4J036DD07 , 4J036FA01 , 4J036FA03 , 4J036FA04 , 4J036FA05 , 4J036FB07 , 4J036FB08 , 4J036GA02 , 4J036GA07 , 4J036JA08 , 5F142AA67 , 5F142AA75 , 5F142AA76 , 5F142AA82 , 5F142BA02 , 5F142BA24 , 5F142CA03 , 5F142CA11 , 5F142CA13 , 5F142CC01 , 5F142CC14 , 5F142CE03 , 5F142CE16 , 5F142CE17 , 5F142CE18 , 5F142CG03 , 5F142DA12 , 5F142FA01 , 5F142FA21

引用特許：

審査官引用 (11件)

光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-326505 出願人：日立化成工業株式会社
樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-345195 出願人：日亜化学工業株式会社
発光装置及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-319485 出願人：日亜化学工業株式会社

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