特許
J-GLOBAL ID：201303048179838711

III族窒化物半導体層およびIII族窒化物半導体層の製造方法

発明者：
住田 行常

住田 行常 について

, 
佐々木 斉

佐々木 斉 について


出願人/特許権者：
古河機械金属株式会社

古河機械金属株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-085336
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214686
出願日： 2012年04月04日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：
【課題】従来にない製造方法で、結晶欠陥の少ないIII族窒化物半導体層を製造する。【解決手段】下地基板11上に、表面にランダムな凹凸を有するバッファ層12を形成する工程と、バッファ層12の上に、内面がファセット面で構成された複数のピット15を表面に有する第1のIII族窒化物半導体層13を形成する工程と、第1のIII族窒化物半導体層13の上に、ピット15を埋め込むようにIII族窒化物半導体を横方向成長させて、第2のIII族窒化物半導体層14を形成する工程と、を有し、第2のIII族窒化物半導体層14の表面は、第1のIII族窒化物半導体層13のピット15を有する表面よりも平坦性が高いIII族窒化物半導体層の製造方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
下地基板上に、内面がファセット面で構成された複数のピットを表面に有する第1のIII族窒化物半導体層を形成するピット形成工程と、 前記第1のIII族窒化物半導体層の上に、前記ピットを埋め込むようにIII族窒化物半導体を横方向成長させて、第2のIII族窒化物半導体層を形成する埋込工程と、 を有し、 前記第2のIII族窒化物半導体層の表面は、前記第1のIII族窒化物半導体層の前記ピットを有する前記表面よりも平坦性が高いIII族窒化物半導体層の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34
Fターム (36件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  5F045AA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB01 ,  5F045DA51 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15
引用特許：
審査官引用 (6件)
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