特許
J-GLOBAL ID：200903037600658642

III-V族窒化物系半導体基板及びその製造方法並びにIII-V族窒化物系半導体

発明者：
柴田 真佐知

柴田 真佐知 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-233701
公開番号（公開出願番号）：特開2006-052102
出願日： 2004年08月10日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】 低転位密度であるとともに、転位密度分布が実質的に均一な表面層を所定の厚さで有するIII-V族窒化物系半導体基板、及びその製造方法、並びにそのような基板を用いてIII-V族窒化物系半導体層をエピタキシャル成長させたIII-V族窒化物系半導体を提供する。【解決手段】 III-V族窒化物系半導体結晶を成長界面に凹凸を出しながら成長させ、(工程I)、凹凸を埋めるようにして結晶成長を行って、成長界面を平坦化させ(工程II)、転位を集積させることにより全体の転位密度を低減し、更に、平坦化した状態で結晶成長を行い、転位を結晶中に均一に分散させると共に、転位密度分布が実質的に均一な層を基板表面から少なくとも10μm以上形成する(工程III)。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物系半導体結晶からなる自立したIII-V族窒化物系半導体基板であって、前記III-V族窒化物系半導体結晶の少なくとも基板表面における転位密度分布が実質的に均一であることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205
Fターム (25件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077EF01 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA05 ,  4G077TB02 ,  4G077TB04 ,  4G077TC02 ,  4G077TC14 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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