特許
J-GLOBAL ID：201303053405665888

紫外線発光素子

発明者：
ホン・イーラン

ホン・イーラン について

, 
チェ・ウンキョン

チェ・ウンキョン について


出願人/特許権者：
エルジー イノテック カンパニー リミテッド

エルジー イノテック カンパニー リミテッド について


代理人 (5件)： 岩瀬 吉和 ,  小野 誠 ,  金山 賢教 ,  重森 一輝 ,  市川 英彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-271867
公開番号（公開出願番号）：特開2013-125968
出願日： 2012年12月13日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：
【課題】本発明は、光抽出効率が向上した紫外線発光素子を提供するためのものである。【解決手段】本発明の紫外線発光素子は、基板の下に配置され、多数の化合物半導体層を含み、化合物半導体層は少なくとも第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含む発光構造物と、第1導電型半導体層の下に配置される第1電極層と、上記第2導電型半導体層の下に配置される第2電極層とを含む。第1電極層は活性層の側面から離隔するように配置され、上記活性層の周りに沿って配置される。第1及び第2電極層のうちの少なくとも1つでありうる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の上に配置され、多数の化合物半導体層を含み、前記化合物半導体層は少なくとも第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含む発光構造物と、 前記第1導電型半導体層の上に配置される第1電極層と、 前記第2導電型半導体層の上に配置される第2電極層と、を含み、 前記第1電極層は前記活性層の側面から離隔するように配置され、 前記第1電極層は前記活性層の周りに沿って配置され、 前記第1及び第2電極層のうちの少なくとも1つは反射層であることを特徴とする、紫外線発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/36
FI (1件)：
H01L33/00 200
Fターム (9件)：
5F141AA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA74 ,  5F141CA83 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CB15
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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