特許
J-GLOBAL ID：200903069968251797
半導体発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-291922
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103689
出願日： 2005年10月05日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】紫外域の発光光に対しても高い反射率を持つ反射電極を有する半導体発光装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体発光装置は、サファイアからなる基板10の上に順次形成されたP型半導体層11、InGaN/GaNからなる活性層12及びP型半導体層13と、P型半導体層13の上に形成され、該P型半導体層13とオーミック接触し且つ活性層12からの発光光50を反射する反射層14bを含むN側反射電極14とを有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
N型の第1半導体層と、
P型の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に形成された活性層と、
前記第1半導体層における前記活性層の反対側の面上に形成され、前記第1の半導体層とオーミック接触し且つ前記活性層からの発光光を反射する反射層を含む反射電極とを備えていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA87
, 5F041CA92
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
