特許
J-GLOBAL ID：201303057941994113
レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
天野 一規
, 池田 義典
, 小川 博生
, 石田 耕治
, 各務 幸樹
, 根木 義明
, 新庄 孝
, 川端 和也
, 柴尾 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-010011
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214040
出願日： 2013年01月23日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：
【課題】優れた保存安定性を有し、かつ塗布欠陥の発生を低減可能なレジスト下層膜形成用組成物及びこのレジスト下層膜形成用組成物を用いたパターン形成方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、[A]ポリシロキサン、及び[B]有機溶媒を含有するレジスト下層膜形成用組成物であって、[B]有機溶媒が、(B1)標準沸点が150.0°C未満のアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、及び(B2)標準沸点が150.0°C以上の有機溶媒を含み、[B]有機溶媒における(B1)アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類の含有率が50質量%以上99質量%以下であり、(B2)有機溶媒の含有率が1質量%以上50質量%以下であるレジスト下層膜形成用組成物である。(B2)有機溶媒の標準沸点は、180°C以上であることが好ましい。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
[A]ポリシロキサン、及び
[B]有機溶媒
を含有するレジスト下層膜形成用組成物であって、
[B]有機溶媒が、
(B1)標準沸点が150.0°C未満のアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、及び
(B2)標準沸点が150.0°C以上の有機溶媒
を含み、
[B]有機溶媒における(B1)アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類の含有率が50質量%以上99質量%以下であり、(B2)有機溶媒の含有率が1質量%以上50質量%以下であることを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物。
IPC (6件)：
G03F 7/11
, G03F 7/26
, C08K 5/101
, C08L 83/06
, C08G 77/18
, H01L 21/027
G03F7/11 503
, G03F7/26 511
, C08K5/101
, C08L83/06
, C08G77/18
, H01L21/30 574
2H096AA25
, 2H096CA05
, 2H096JA04
, 2H125AM85N
, 2H125AN11N
, 2H125AN37N
, 2H125AN38N
, 2H125AN39N
, 2H125AN44N
, 2H125AN51N
, 2H125AN54N
, 2H125AN73N
, 2H125AN82N
, 2H125AP01N
, 2H125BA01N
, 2H125BA02N
, 2H125BA26N
, 2H125CA12
, 2H125CD12N
, 2H125CD26N
, 2H125CD40
, 2H125DA25
, 4J002CP051
, 4J002EH037
, 4J002EH156
, 4J002EL067
, 4J002GH00
, 4J002GH02
, 4J002GP03
, 4J002HA03
, 4J246AA03
, 4J246AA19
, 4J246AB15
, 4J246BA340
, 4J246BB02X
, 4J246BB020
, 4J246BB022
, 4J246CA14E
, 4J246CA14X
, 4J246CA140
, 4J246CA149
, 4J246CA24E
, 4J246CA24X
, 4J246CA240
, 4J246CA249
, 4J246CA40E
, 4J246CA40X
, 4J246CA400
, 4J246CA409
, 4J246FA071
, 4J246FA131
, 4J246FA421
, 4J246GB04
, 4J246GC02
, 4J246GC07
, 4J246GD08
, 4J246HA11
, 4J246HA15
, 5F146PA07
