パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-267849
公開番号（公開出願番号）：特開2008-089711
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】支持体上に高精細かつ高アスペクト比のパターンを形成できるパターン形成方法の提供。【解決手段】支持体上に下層膜を形成する工程、該下層膜上にシリコン系ハードマスクを形成する工程、該ハードマスク上に化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程、第一のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第一のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、ハードマスクをエッチングして第一のパターンを形成する工程と、前記第一のパターン上に化学増幅型ポジ型シリコン系レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程、第二のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第二のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、下層膜をエッチングして第二のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジスト組成物を用いてパターンを形成するパターン形成方法であって、支持体上に、下層膜形成材料を用いて下層膜を形成する工程と、前記下層膜上にシリコン系ハードマスク形成材料を用いてハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスク上に化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンをマスクとして、ハードマスクをエッチングして第一のパターンを形成する工程と、前記第一のパターン上に化学増幅型ポジ型シリコン系レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第二のレジストパターンを形成する工程と、前記第二のレジストパターンをマスクとして、下層膜をエッチングして第二のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/26 , G03F 7/11 , G03F 7/039 , G03F 7/075 , H01L 21/027 , G03F 7/20

FI (7件)：

G03F7/26 511 , G03F7/11 503 , G03F7/039 601 , G03F7/075 511 , H01L21/30 573 , G03F7/20 521 , G03F7/11 502

Fターム (30件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB33 , 2H025CC20 , 2H025DA13 , 2H025DA35 , 2H025DA40 , 2H025FA03 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096BA09 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA11 , 2H096KA01 , 2H096KA17 , 2H096KA30 , 5F046NA01 , 5F046NA07 , 5F046NA14 , 5F046NA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-201310 出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (9件)

半導体素子の微細パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-351625 出願人：現代電子産業株式会社
特開昭63-170917
基板、リソグラフィ多重露光法、機械読み取り可能媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-192602 出願人：エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.

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