特許
J-GLOBAL ID：201303058507729130
半導体装置の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-001578
公開番号（公開出願番号）：特開2013-102189
特許番号：特許第5303687号
出願日： 2013年01月09日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板よりも上方に、表面に対して垂直な方向に沿うようにc軸が配向した第1の酸化物半導体層を形成する工程と、
前記基板に熱を加えた状態で成膜を行うことにより、前記第1の酸化物半導体層上に結晶性を有する第2の酸化物半導体層を形成する工程と、
前記第1の酸化物半導体層と前記第2の酸化物半導体層とを有する積層体を有するトランジスタを形成する工程と、を有し、
前記積層体は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第1の酸化物半導体層は、InとGaとZnとを有し、
前記第2の酸化物半導体層は、InとGaとZnとを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/363 ( 200 6.01)
, C23C 14/08 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 21/363
, C23C 14/08 N
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
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