特許
J-GLOBAL ID：201303059069914376

発光素子

発明者：
オ、ドゥク ファン

オ、ドゥク ファン について

, 
イ、サン ジュン

イ、サン ジュン について

, 
キム、ギョン ヘ

キム、ギョン ヘ について


出願人/特許権者：
ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド

ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-127049
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201455
出願日： 2013年06月17日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：
【課題】ツェナーダイオードを備える発光素子を提供する。【解決手段】この発光素子は、ツェナーダイオード領域及び発光ダイオード領域を有するP型シリコン基板を備える。第1のN型化合物半導体層が、前記P型シリコン基板のツェナーダイオード領域に接合され、前記P型シリコン基板と一緒にツェナーダイオードの特性を示す。また、第2のN型化合物半導体層が、前記P型シリコン基板の発光ダイオード領域上に位置する。前記第2のN型化合物半導体層は、前記第1のN型化合物半導体層から離隔する。一方、P型化合物半導体層が、前記第2のN型化合物半導体層の上部に位置し、前記第2のN型化合物半導体層と前記P型化合物半導体層との間に活性層が介在される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ツェナーダイオード領域及び発光ダイオード領域を有するP型シリコン基板と、 前記P型シリコン基板のツェナーダイオード領域に接合され、前記P型シリコン基板と協働してツェナーダイオードの特性を示す第1のN型化合物半導体層と、 前記P型シリコン基板の発光ダイオード領域上に位置し、前記第1のN型化合物半導体層から離隔し、前記第1のN型化合物半導体層の形成と同時に形成された第2のN型化合物半導体層と、 前記第2のN型化合物半導体層の上部に位置するP型化合物半導体層と、 前記第2のN型化合物半導体層と前記P型化合物半導体層との間に介在された活性層と、 を備えることを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/02
FI (1件)：
H01L33/00 100
Fターム (9件)：
5F141AA23 ,  5F141AA33 ,  5F141AA42 ,  5F141CA40 ,  5F141CA71 ,  5F141CA74 ,  5F141CA88 ,  5F141CA93 ,  5F141CB33
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM