特許

J-GLOBAL ID：201303059170708019

半導体装置の製造方法

発明者： 寺原 政徳 ,  小倉 輝 ,  長谷川 明広 ,  伏田 篤郎 ,  赤星 文彦
出願人/特許権者： 富士通セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-058582
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191802
出願日： 2012年03月15日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：

【課題】半導体装置の製造方法においてパーティクルの発生を抑制すること。【解決手段】チャンバ2の中に設置され、第1の温度T1を有する静電チャック3の上に、第1の温度T1よりも低い第2の温度T2の雰囲気中に保持されていた基板Wを載置する工程と、静電チャック3に電圧を印加し、静電チャック3の上に基板Wを固定する工程と、基板Wを載置した後に、静電チャック3を第1の温度T1及び第2の温度T2よりも高い第3の温度T3に昇温する工程と、昇温する工程の後、基板Wを処理する工程とを含む半導体装置の製造方法による。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

チャンバの中に設置され、第1の温度を有する静電チャックの上に、前記第1の温度よりも低い第2の温度の雰囲気中に保持されていた基板を載置する工程と、 前記静電チャックに電圧を印加し、前記静電チャックの上に前記基板を固定する工程と、 前記基板を載置した後に、前記静電チャックを前記第1の温度及び前記第2の温度よりも高い第3の温度に昇温する工程と、 前記昇温する工程の後、前記基板を処理する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/683 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L21/68 R ,  H01L21/302 101G ,  H01L21/302 101R

Fターム (34件)：

5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BB12 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BC06 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EA22 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031PA24 ,  5F031PA26

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 静電吸着ホットプレート、真空処理装置、及び真空処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-289078   出願人：日本真空技術株式会社
• 静電チャックのパーティクル発生低減方法及び半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-187019   出願人：日本碍子株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-015755   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
• 基板交換方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-089509   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 静電吸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-323515   出願人：日本碍子株式会社
• 静電チャックのパーティクル発生低減方法および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-190350   出願人：日本碍子株式会社