特許
J-GLOBAL ID：200903067987345627
静電チャックのパーティクル発生低減方法及び半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-187019
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012664
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】半導体製造工程におけるパーティクルの発生を低減して、十分高い歩留まりで半導体を製造することが可能な、静電チャックのパーティクル発生低減方法、及びその方法を用いた半導体製造装置を提供する。【解決手段】静電チャックの吸着面にウエハを吸着する際における、吸着前のウエハの温度と吸着後のウエハの最高温度との差を50°C以下にする。前記差を50°C以下にするために、半導体製造装置内のウエハ搬送手段に、ウエハを予備加熱するための加熱手段を設ける。
請求項（抜粋）：
静電チャックの吸着面にウエハを吸着する際における、吸着前のウエハ温度と吸着後のウエハの最高温度との差を50°C以下にすることを特徴とする、静電チャックのパーティクル発生低減方法。
Fターム (9件)：
5F031CC12
, 5F031FF03
, 5F031GG10
, 5F031GG20
, 5F031KK02
, 5F031KK04
, 5F031KK06
, 5F031KK07
, 5F031MM10
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (12件)
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