エピタキシャルソース/ドレインが自己整合したマルチゲート半導体デバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-544544
公開番号（公開出願番号）：特表2013-515356
出願日： 2010年11月19日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
要約：

低寄生抵抗であるチャネル歪みされたマルチゲートトランジスタとその製造方法に係る。ゲートを連結したチャネル側壁の高さがHsiである半導体フィンのチャネル領域の上にゲートスタックを形成されてよく、ゲートスタックに隣接する半導体フィンのソース/ドレイン領域内に、エッチングレートを制御するドーパントを注入してよい。ドーピングされたフィン領域をエッチングして、半導体フィンの、略Hsiに等しい厚みを除去して、ゲートスタックの一部の下にある半導体基板の部分を露呈させるソース/ドレイン延長キャビティを形成してよい。露呈した半導体基板の上に材料を成長させて、再成長したソース/ドレイン・フィン領域を形成して、ソース/ドレイン延長キャビティを充填して、ゲートスタックからの長さを、チャネルの長さに実質的に平行な方向に離れる方向に延ばしてよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マルチゲートトランジスタを形成する方法であって、ゲートを連結したチャネル側壁の高さがHsiである半導体フィンのチャネル領域の上にゲートスタックを形成する段階と、前記ゲートスタックに隣接する前記半導体フィンのソース/ドレイン領域内に、エッチングレートを制御するドーパントを注入する段階と、ドーピングされたフィン領域をエッチングして、前記半導体フィンの、略Hsiに等しい厚みを除去して、前記ゲートスタックの一部の下にある半導体基板の部分を露呈させるソース/ドレイン延長キャビティを形成する段階と、前記露呈した半導体基板の上に材料を成長させて、再成長したソース/ドレイン・フィン領域を形成する段階とを備え、前記再成長したソース/ドレイン・フィン領域は、前記ソース/ドレイン延長キャビティを充填し、前記チャネルの長さ方向に実質的に平行な方向において前記ゲートスタックから離れる方向に延びる方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/41 , H01L 29/417 , H01L 29/786

FI (15件)：

H01L29/78 301Y , H01L29/78 301X , H01L29/78 301P , H01L27/08 321E , H01L27/08 321F , H01L27/08 321D , H01L29/44 L , H01L29/50 M , H01L29/78 626C , H01L29/78 616L , H01L29/78 616V , H01L29/78 617T , H01L29/78 618Z , H01L29/78 617K , H01L29/78 618C

Fターム (155件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA06 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB34 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104DD04 , 4M104DD50 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104FF26 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH20 , 5F048AA08 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB15 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC15 , 5F048BC18 , 5F048BD01 , 5F048BD06 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048DA09 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F110AA02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE31 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE47 , 5F110FF01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110HK01 , 5F110HK05 , 5F110HK32 , 5F110HK41 , 5F110HK50 , 5F110HM02 , 5F110HM07 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110QQ01 , 5F110QQ11 , 5F140AA05 , 5F140AA10 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA20 , 5F140BB05 , 5F140BC15 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BG02 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG24 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BH05 , 5F140BH06 , 5F140BH27 , 5F140BH30 , 5F140BH47 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ21 , 5F140BK08 , 5F140BK09 , 5F140BK10 , 5F140BK12 , 5F140BK13 , 5F140BK14 , 5F140BK15 , 5F140BK18 , 5F140BK33 , 5F140CB04 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC10 , 5F140CE05 , 5F140CE10 , 5F140CE20 , 5F140CF00

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-069580 出願人：株式会社東芝
チップレス・エピタキシャルソース/ドレイン領域を有する半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-507580 出願人：インテルコーポレイション
自己整合エピタキシャルソース及びドレイン張り出し部を有する半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-552937 出願人：インテルコーポレイション

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