特許
J-GLOBAL ID：201303072558603347

固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、電子機器

発明者：
城戸 英男

城戸 英男 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-176057
公開番号（公開出願番号）：特開2013-041875
出願日： 2011年08月11日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：
【課題】飽和電荷量の向上が可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基体51の表面51A側に形成された第1フォトダイオードPD1と、裏面51B側に形成された第2フォトダイオードPD2を備える。そして、第2フォトダイオードPD2を構成する第1導電型半導体領域59と第2導電型半導体領域58との接続面の不純物濃度が、第2導電型半導体領域58の第1導電型半導体領域59と反対側の層との接続面の不純物濃度以上である固体撮像素子50を構成する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体基体の第1主面側に形成された第1の第1導電型半導体領域と、前記第1の第1導電型半導体領域と接して前記半導体基体の内部に形成された第1の第2導電型半導体領域と、からなる第1フォトダイオードと、 前記半導体基体の第2主面側に形成された第2の第1導電型半導体領域と、前記第2の第1導電型半導体領域と接して前記半導体基体の内部に形成された第2の第2導電型半導体領域と、からなる第2フォトダイオードと、 前記半導体基体の第1主面に形成されたゲート電極と、を備え、 前記第2の第1導電型半導体領域と前記第2の第2導電型半導体領域との接続面の不純物濃度が、前記第2の第2導電型半導体領域の前記第2の第1導電型半導体領域と反対側の層との接続面の不純物濃度以上である 固体撮像素子。
IPC (1件)：
H01L 27/146
FI (1件)：
H01L27/14 A
Fターム (23件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA22 ,  4M118DA23 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA05 ,  4M118EA06 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA16 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04
引用特許：
出願人引用 (6件)
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