特許
J-GLOBAL ID：201303073139560782

III族窒化物基板、及びそれを用いた半導体デバイス

発明者：
石橋 恵二

石橋 恵二 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-106186
公開番号（公開出願番号）：特開2013-249249
出願日： 2013年05月20日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
【課題】III族窒化物基板上に形成したエピタキシャル成長層の品質低下を抑制し、その結果、特性低下が抑制された、半導体装置を提供する。【解決手段】III族窒化物基10板は、表面層10aを有し、表面層10aが、3at.%〜25at.%の炭素を含み、且つ、5×1010原子/cm2〜200×1010原子/cm2のp型金属元素を含み、表面層10aの酸素濃度が、3at.%〜15at.%である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
表面層を有し、 前記表面層が、3at.%〜25at.%の炭素を含み、且つ、5×1010原子/cm2〜200×1010原子/cm2のp型金属元素を含み、 前記表面層の酸素濃度が、3at.%〜15at.%である、 III族窒化物基板。
IPC (8件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  H01L 29/20
FI (6件)：
C30B29/38 D ,  H01L29/80 H ,  H01L21/302 105B ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 186 ,  H01L29/20
Fターム (37件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077FG02 ,  4G077FG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  5F004AA14 ,  5F004BB13 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DB19 ,  5F004FA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AF04 ,  5F045CA07 ,  5F045DA59 ,  5F045HA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F141AA40 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA49 ,  5F141CA57 ,  5F141CA65
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)
  • "Low-temperature method of cleaning p-GaN(0001) surfaces for photoemitters with effective negative e
審査官引用 (1件)
  • "Low-temperature method of cleaning p-GaN(0001) surfaces for photoemitters with effective negative e

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