特許
J-GLOBAL ID：201303075881982968
有機薄膜の成膜方法とそれを用いて形成した太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
大橋 公治
, 林 紘樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-037573
公開番号（公開出願番号）：特開2013-173082
出願日： 2012年02月23日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】基板に均一な有機薄膜を形成する成膜方法を提供する。【解決手段】有機物半導体の前躯体の液滴を帯電させて静電力で加速し、シリコン単結晶基板41に衝突させて基板上に有機物半導体の初期段階の薄膜42を形成する第1の成膜ステップと、初期段階の薄膜42が形成されたシリコン単結晶基板41に有機物半導体の溶液を塗布して有機物半導体の塗膜を形成する第2の成膜ステップと、を備えることを特徴とする。このように、二段階の成膜を行うことにより、疎水性を有するシリコン単結晶基板に均一な有機物半導体薄膜を形成することができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板上に有機物薄膜を形成する成膜方法であって、
前記有機物の前躯体の液滴を帯電させて静電力で加速し、基板に衝突させて該基板上に前記有機物の初期段階の薄膜を形成する第1の成膜ステップと、
前記初期段階の薄膜が形成された前記基板に前記有機物の溶液を塗布して前記有機物の塗膜を形成する第2の成膜ステップと、
を備えることを特徴とする有機物薄膜の成膜方法。
IPC (9件)：
B05D 1/36
, H01L 31/04
, H01L 51/42
, H05B 33/10
, H01L 51/50
, B05D 1/04
, B05D 1/40
, H01L 51/05
, H01L 51/40
B05D1/36 Z
, H01L31/04 A
, H01L31/04 D
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, B05D1/04 E
, B05D1/40 A
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 310J
3K107AA01
, 3K107CC45
, 3K107GG06
, 3K107GG28
, 4D075AA09
, 4D075AC65
, 4D075AE03
, 4D075CA48
, 4D075DA06
, 4D075DB14
, 4D075DC18
, 4D075EA10
, 5F151AA02
, 5F151AA11
, 5F151CB13
, 5F151CB27
, 5F151DA03
, 5F151DA07
, 5F151FA06
, 5F151FA07
, 5F151FA13
, 5F151FA15
, 5F151GA04
, 5F151GA14
