特許
J-GLOBAL ID：201303076034720562

レジストパターン形成方法、レジストパターン、架橋性ネガ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスク

発明者：
土橋 徹

土橋 徹 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (3件)： 高松 猛 ,  尾澤 俊之 ,  長谷川 博道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-180893
公開番号（公開出願番号）：特開2013-044808
出願日： 2011年08月22日
公開日（公表日）： 2013年03月04日
要約：
【課題】高い解像力、小さいラインエッジラフネス(LER)、優れたパターン形状、及び、高感度を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、架橋性ネガ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。【解決手段】基板上に、架橋反応によりネガ化するネガ型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターンの形成方法において、前記ネガ型レジスト組成物が下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有し、前記工程で形成された膜の膜厚が15nm〜40nmであり、かつ、前記アルカリ現像液中のアルカリ成分の濃度が0.5質量%〜1.1質量%である、レジストパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(1)基板上に、架橋反応によりネガ化するネガ型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、 (2)該膜を露光する工程、及び (4)露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程 をこの順番で有する、レジストパターンの形成方法において、 前記ネガ型レジスト組成物が、(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有し、 前記工程(1)で形成された膜の膜厚が15nm〜40nmであり、かつ、 前記アルカリ現像液中のアルカリ成分の濃度が0.5質量%〜1.1質量%である、レジストパターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  C08F 8/00 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F7/32 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/004 501 ,  C08F8/00 ,  H01L21/30 502R
Fターム (44件)：
2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096DA01 ,  2H096EA03 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096GA13 ,  2H125AE04P ,  2H125AE05P ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AM10P ,  2H125AM12P ,  2H125AM15P ,  2H125AM16P ,  2H125AM66P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN57P ,  2H125AN67P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CB16 ,  2H125CC01 ,  2H125CC17 ,  2H125CD20P ,  2H125CD31 ,  4J100AB07P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA02H ,  4J100BC04Q ,  4J100CA31 ,  4J100HA19 ,  4J100HA61 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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