特許
J-GLOBAL ID：201003054808502835
レジストパターン形成方法及びレジストパターン形成用現像液
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
渡邉 一平
, 木川 幸治
, 菅野 重慶
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-310871
公開番号（公開出願番号）：特開2010-134240
出願日： 2008年12月05日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】ナノエッジラフネスに優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能なレジストパターン形成方法を提供すること。【解決手段】基板上に形成された、その膜厚が50nm以下であるレジスト膜を選択的に露光するとともに、その濃度が1.2質量%以下のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であるレジストパターン形成用現像液を用いて現像することを含むレジストパターン形成方法である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板上に形成された、その膜厚が50nm以下であるレジスト膜を選択的に露光するとともに、その濃度が1.2質量%以下のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液であるレジストパターン形成用現像液を用いて現像することを含むレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/32
, H01L21/30 569E
2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096EA05
, 2H096EA06
, 2H096EA07
, 2H096GA09
, 5F046LA12
出願人引用 (13件)
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米国特許第5561194号明細書
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感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-344911
出願人：ジェイエスアール株式会社
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感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-344910
出願人：ジェイエスアール株式会社
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審査官引用 (8件)
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