特許
J-GLOBAL ID：201303077660789104

トランジスタ

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
河江 大輔

河江 大輔 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-002718
公開番号（公開出願番号）：特開2013-062553
出願日： 2013年01月10日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：
【課題】新たな半導体材料を用いたトランジスタを提供する。【解決手段】水素濃度が1×1016cm-3以下の領域を有する酸化物半導体層又はキャリア密度が1×1014cm-3未満の領域を有する酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層の膜厚は、酸化物半導体層のドナー密度に基づく空乏層の広がり得る最大幅よりも薄いトランジスタである。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
水素濃度が1×1016cm-3以下の領域を有する酸化物半導体層を有し、 前記酸化物半導体層の膜厚は、前記酸化物半導体層のドナー密度に基づく空乏層の広がり得る最大幅よりも薄いことを特徴とするトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653B ,  H01L29/78 653D
Fターム (80件)：
5F110AA05 ,  5F110AA13 ,  5F110BB12 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE38 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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