特許
J-GLOBAL ID：201303079127970800

半導体製造装置のガス供給方法、ガス供給システム及び半導体製造装置

発明者：
羽藤 秀幸

羽藤 秀幸 について

, 
小川 裕之

小川 裕之 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-060636
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197183
出願日： 2012年03月16日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】第1及び第2工程を繰り返し行うプラズマ処理にて加圧工程及び排気工程を行う。【解決手段】第1及び第2ガス配管と拡散室16aは、第1及び第2のバルブ11、12の開閉により連通を制御し、第1及び第2ガス配管の第1及び第2のバルブよりも上流側に接続した第3及び第4のバルブ13、14の開閉により第1及び第2ガス配管内のガスを排出し、第1工程の前に第1のバルブを閉じかつ第3のバルブを閉め、第1ガス配管内の第1のガスの圧力を上昇させる第1の加圧工程と、第2工程の前に、第2のバルブを閉じかつ前記第4のバルブを閉め、第2ガス配管内の第2のガスの圧力を上昇させる第2の加圧工程と、排気用配管と拡散室は、第5のバルブ15の開閉により連通を制御し、第1工程及び第2工程の開始に応じて第5のバルブを開き、拡散室内のガスを排気する排気工程と、を含むガス供給方法が提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1ガス配管を通じて第1のガスを拡散室に通してチャンバ内に供給し、被処理体をプラズマ処理する第1工程と、第2ガス配管を通じて第2のガスを前記拡散室に通してチャンバ内に供給し、被処理体をプラズマ処理する第2工程と、を交互に所定回数繰り返す半導体製造装置のガス供給方法であって、 前記第1ガス配管と前記拡散室は、第1のバルブの開閉により連通を制御し、 前記第2ガス配管と前記拡散室は、第2のバルブの開閉により連通を制御し、 前記第1ガス配管の第1のバルブよりも上流側に接続した第3のバルブの開閉により第1ガス配管内のガスを排出し、 前記第2ガス配管の第2のバルブよりも上流側に接続した第4のバルブの開閉により第2ガス配管内のガスを排出し、 前記第1工程の前に、前記第1のバルブを閉じかつ前記第3のバルブを閉め、前記第1のガスにより前記第1ガス配管内の前記第1のガスの圧力を上昇させる第1の加圧工程と、 前記第2工程の前に、前記第2のバルブを閉じかつ前記第4のバルブを閉め、前記第2のガスにより前記第2ガス配管内の前記第2のガスの圧力を上昇させる第2の加圧工程と、 排気用配管と前記拡散室は、第5のバルブの開閉により連通を制御し、 前記第1工程の開始及び前記第2工程の開始に応じて前記第5のバルブを開き、前記拡散室内のガスを排気する排気工程と、を含むことを特徴とする半導体製造装置のガス供給方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320
FI (3件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/31 C ,  H01L21/88 J
Fターム (26件)：
5F004AA02 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EA28 ,  5F004EA40 ,  5F004EB01 ,  5F033MM30 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045DP03 ,  5F045EE13 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05 ,  5F045EG05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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