特許
J-GLOBAL ID:201303081694827886

薄膜トランジスター表示板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 山下 託嗣 ,  仁野 裕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-021995
公開番号(公開出願番号):特開2013-161090
出願日: 2013年02月07日
公開日(公表日): 2013年08月19日
要約:
【課題】薄膜トランジスター表示板とその製造方法を提供する。【解決手段】上記薄膜トランジスター表示板は、基板上の薄膜トランジスターに含まれたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極、上記ソース電極に連結されたデータ線、上記ドレイン電極と画素電極を連結する画素連結部材、及びゲート線を通じてゲート電極と連結され、第1ゲートサブパッド、第2ゲートサブパッド、及びゲートパッド連結部材を含むゲートパッドを備え、上記画素連結部材と上記ゲートパッド連結部材は、実質的に、同一の厚さを有する。 【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上の薄膜トランジスターに含まれたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極に連結されたデータ線と、 前記ドレイン電極と画素電極を連結する画素連結部材と、及び ゲート線を通じてゲート電極と連結され、第1ゲートサブパッド、第2ゲートサブパッド及びゲートパッド連結部材を含むゲートパッドとを備え、 前記画素連結部材と前記ゲートパッド連結部材は、実質的同一の厚さを有することを特徴とする薄膜トランジスター表示板。
IPC (4件):
G09F 9/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136
FI (7件):
G09F9/30 330Z ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 627A ,  G02F1/1368
Fターム (65件):
2H192AA24 ,  2H192BC12 ,  2H192BC24 ,  2H192BC32 ,  2H192CB05 ,  2H192CB12 ,  2H192CB37 ,  2H192CB61 ,  2H192CC12 ,  2H192CC33 ,  2H192CC52 ,  2H192DA12 ,  2H192DA52 ,  2H192DA74 ,  2H192EA67 ,  2H192FA35 ,  5C094AA02 ,  5C094BA03 ,  5C094DA15 ,  5C094DB03 ,  5C094EA04 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB20 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM19 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ19
引用特許:
審査官引用 (10件)
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