特許
J-GLOBAL ID:201303081694827886
薄膜トランジスター表示板及びその製造方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
山下 託嗣
, 仁野 裕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-021995
公開番号(公開出願番号):特開2013-161090
出願日: 2013年02月07日
公開日(公表日): 2013年08月19日
要約:
【課題】薄膜トランジスター表示板とその製造方法を提供する。【解決手段】上記薄膜トランジスター表示板は、基板上の薄膜トランジスターに含まれたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極、上記ソース電極に連結されたデータ線、上記ドレイン電極と画素電極を連結する画素連結部材、及びゲート線を通じてゲート電極と連結され、第1ゲートサブパッド、第2ゲートサブパッド、及びゲートパッド連結部材を含むゲートパッドを備え、上記画素連結部材と上記ゲートパッド連結部材は、実質的に、同一の厚さを有する。 【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上の薄膜トランジスターに含まれたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極に連結されたデータ線と、
前記ドレイン電極と画素電極を連結する画素連結部材と、及び
ゲート線を通じてゲート電極と連結され、第1ゲートサブパッド、第2ゲートサブパッド及びゲートパッド連結部材を含むゲートパッドとを備え、
前記画素連結部材と前記ゲートパッド連結部材は、実質的同一の厚さを有することを特徴とする薄膜トランジスター表示板。
IPC (4件):
G09F 9/30
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136
FI (7件):
G09F9/30 330Z
, G09F9/30 338
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 612C
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 627A
, G02F1/1368
Fターム (65件):
2H192AA24
, 2H192BC12
, 2H192BC24
, 2H192BC32
, 2H192CB05
, 2H192CB12
, 2H192CB37
, 2H192CB61
, 2H192CC12
, 2H192CC33
, 2H192CC52
, 2H192DA12
, 2H192DA52
, 2H192DA74
, 2H192EA67
, 2H192FA35
, 5C094AA02
, 5C094BA03
, 5C094DA15
, 5C094DB03
, 5C094EA04
, 5C094EA10
, 5C094EB02
, 5C094FB12
, 5C094FB20
, 5F110AA03
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE14
, 5F110EE23
, 5F110EE42
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK08
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110HM19
, 5F110NN02
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN72
, 5F110QQ19
引用特許:
前のページに戻る