特許

J-GLOBAL ID：201303085673888406

窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者： 井上 知也 ,  谷 善彦 ,  竹岡 忠士 ,  渡邉 浩崇 ,  浅井 俊晶 ,  中津 弘志 ,  田中 研一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-047843
公開番号（公開出願番号）：特開2013-183126
出願日： 2012年03月05日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：

【課題】順方向バイアス電圧印加時のリーク電流の増大およびピットによる発光面積の低下を抑え、かつ高いESD耐圧を有する窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】n型窒化物半導体層と発光層との間にn型GaN層とn型GaN層よりもn型不純物濃度の低いGaN層とが交互に積層された積層構造を有する第1のESD対策層およびアンドープ超格子構造を含む超格子構造を有する第2のESD対策層の少なくとも一方を有する窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体層と、 前記n型窒化物半導体層上に設けられたESD対策層と、 前記ESD対策層上に設けられた発光層と、 前記発光層上に設けられたp型窒化物半導体層と、を備え、 前記ESD対策層は、n型GaN層と前記n型GaN層よりもn型不純物濃度の低いGaN層とが交互に積層された積層構造を有する第1のESD対策層、およびアンドープ超格子構造を含む超格子構造を有する第2のESD対策層の少なくとも一方を有する、窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/32

FI (1件)：

H01L33/00 186

Fターム (16件)：

5F041AA03 ,  5F041AA23 ,  5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F141AA03 ,  5F141AA23 ,  5F141AA24 ,  5F141CA05 ,  5F141CA08 ,  5F141CA40 ,  5F141CA46 ,  5F141CA65

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-348665   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-226716   出願人：三星電機株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-049416   出願人：豊田合成株式会社
• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-153300   出願人：豊田合成株式会社
• III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-079387   出願人：豊田合成株式会社
• n型窒化物半導体積層体およびそれを用いる半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-155577   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-112909   出願人：日亜化学工業株式会社