半導体装置、及び、半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-138649
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225691
出願日： 2013年07月02日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：

【課題】不揮発性メモリトランジスタの電荷保持特性を向上させる。【解決手段】半導体基板と導電膜の間には、トンネル絶縁膜として機能する第1絶縁膜、電荷蓄積層、第2絶縁膜が形成されている。電荷蓄積層は2層の窒化シリコン膜でなる。下層の窒化シリコン膜は、窒素ソースガスにNH3を用いてCVD法で形成され、N-H結合を上層よりも多く含む。上層の第2窒化シリコン膜は、窒素ソースガスにN2を用いてCVD法で形成され、Si-H結合を下層よりも多く含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャネル形成領域を有する半導体領域と、前記チャネル形成領域と重なる領域を有する導電層と、前記半導体領域と前記導電層の間に、第1の層、第2の層、及び第3の層と、を有し、前記第1の層は、窒素と珪素とハロゲン元素とを含み、前記第2の層は、窒素と珪素とハロゲン元素とを含み、前記第3の層は、珪素と酸素とを含み、前記第3の層は、前記第1の層及び前記第2の層よりも、前記半導体領域に近い側に設けられ、前記第1の層は、前記第2の層よりも、前記半導体領域に近い側に設けられ、前記第2の層は、N-H結合の割合に対するSi-X結合(Xは前記ハロゲン元素)の割合の比が、前記第1の層よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 27/10

FI (3件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434 , H01L27/10 481

Fターム (50件)：

5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP43 , 5F083EP44 , 5F083EP48 , 5F083EP49 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083EP76 , 5F083ER21 , 5F083GA11 , 5F083HA02 , 5F083JA03 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083NA01 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR21 , 5F083PR34 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR55 , 5F101BA45 , 5F101BB05 , 5F101BB08 , 5F101BD07 , 5F101BD22 , 5F101BD30 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH05 , 5F101BH16 , 5F101BH21

引用特許：

審査官引用 (15件)

不揮発性半導体記録装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-036871 出願人：ソニー株式会社
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-100264 出願人：ソニー株式会社
不揮発性メモリデバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-028909 出願人：ソニー株式会社

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