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J-GLOBAL ID：201402263283316370   整理番号：14A0706444

柔軟な高分子シート上の[100]配向SrTiO₃薄膜の作製

Preparation of [100] oriented SrTiO₃ thin films on flexible polymer sheets

著者 (6件)： NISHIKAWA Hiroaki (Kinki Univ., Wakayama, JPN) ,  MORITA Yusuke (Kinki Univ., Wakayama, JPN) ,  KUSUNOKI Masanobu (Kinki Univ., Wakayama, JPN) ,  HONTSU Shigeki (Kinki Univ., Wakayama, JPN) ,  TANAKA Hidekazu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ENDO Tamio (Mie Univ., Tsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 5S1  ページ： 05FB06.1-05FB06.4  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 柔軟な高分子基板上に一軸配向酸化膜を作製した。まず,MgO(100)基板上に[100]配向SrTiO₃(STO)を成長させた。STO膜をポリエチレンナフタレート(PEN)シートにフォトレジストと共に接着後,MgO基板を燐酸溶液でエッチングして酸化膜をPENシートに移動した。解放後の薄い(300nm)STO膜は,シートを直径1cmの棒の周りに曲げてもひび割れしなかったが,厚い(800nm)膜はひび割れた。究極的に,この工程は柔軟なエピタキシャル酸化膜の作製に応用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 高分子膜 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *薄膜成長 ,  酸化マグネシウム ,  ポリエチレンナフタレート ,  エッチング ,  酸化膜 ,  顕微鏡観察 ,  *フレキシブル基板 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： X線回折パターン

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (30件)：

• K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
• K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4303 (2006).
• J.-H. Bae, J.-M. Moon, J.-W. Kang, H.-D. Park, J.-J. Kim, W. J. Cho, and H.-K. Kim, J. Electrochem. Soc. 154, J81 (2007).
• J.-W. Kang, W.-I. Jeong, J.-J. Kim, H.-K. Kim, D.-G. Kim, and G.-H. Lee, Electrochem. Solid-State Lett. 10, J75 (2007).
• J. V. Anguita, M. Thwaites, B. Holton, P. Hockley, S. Rand, and S. Haughton, Plasma Processes Polym. 4, 48 (2007).

タイトルに関連する用語 (4件)： 高分子 ,  配向 ,  薄膜 ,  作製