特許
J-GLOBAL ID：201403001796037190

発光素子

発明者：
パク・ブンドー

パク・ブンドー について

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キム・テジン

キム・テジン について

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キム・ミンスク

キム・ミンスク について

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ソン・ヨンウン

ソン・ヨンウン について

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イ・サンジュン

イ・サンジュン について

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イ・テヨン

イ・テヨン について

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ホン・キヨン

ホン・キヨン について

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ファン・ソンキョ

ファン・ソンキョ について


出願人/特許権者：
エルジー イノテック カンパニー リミテッド

エルジー イノテック カンパニー リミテッド について


代理人 (5件)： 岩瀬 吉和 ,  小野 誠 ,  金山 賢教 ,  重森 一輝 ,  市川 英彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-015329
公開番号（公開出願番号）：特開2014-150255
出願日： 2014年01月30日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
要約：
【課題】発光素子のVFを低下させ、発光効率を向上させる発光素子を提供する。【解決手段】発光素子は、導電性基板110と導電性基板110上に配置される第1電極層120と第1電極層120上に配置される第1半導体層141、第2半導体層145、及び第1半導体層141と第2半導体層145との間に位置する活性層143を備える発光構造物140と第2半導体層145と電気的に接続された第2電極層150とを含み、第1電極層120は、導電性基板110と第1半導体層141との間に配置される透明電極層123Aと記透明電極層123Aを上下に貫通する多数個の金属コンタクト部123Bとを備えるオーミック層123を含み、金属コンタクト部123AはAuBeを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性基板と、 前記導電性基板上に配置される第1電極層と、 前記第1電極層上に配置される第1半導体層、第2半導体層、及び前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に位置する活性層を備える発光構造物と、 前記第2半導体層と電気的に接続された第2電極層とを含み、 前記第1電極層は、 前記導電性基板と前記第1半導体層との間に配置される透明電極層と、 前記透明電極層を上下に貫通する多数個の金属コンタクト部とを備えるオーミック層を含み、 前記金属コンタクト部はAuBeを含む、発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/36 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 200 ,  H01L33/00 L
Fターム (45件)：
5F141AA03 ,  5F141AA21 ,  5F141CA05 ,  5F141CA34 ,  5F141CA36 ,  5F141CA37 ,  5F141CA38 ,  5F141CA40 ,  5F141CA52 ,  5F141CA58 ,  5F141CA64 ,  5F141CA65 ,  5F141CA66 ,  5F141CA84 ,  5F141CA85 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CB02 ,  5F141CB15 ,  5F141CB36 ,  5F141FF11 ,  5F142BA02 ,  5F142BA24 ,  5F142CB11 ,  5F142CC04 ,  5F142CC24 ,  5F142CC25 ,  5F142CC26 ,  5F142CG03 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142DA02 ,  5F142DA12 ,  5F142DA73 ,  5F142DB34 ,  5F142DB36 ,  5F142DB38 ,  5F142DB40 ,  5F142DB42 ,  5F142EA02 ,  5F142EA32 ,  5F142EA34 ,  5F142GA12 ,  5F142GA14 ,  5F142GA24
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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