特許
J-GLOBAL ID：201203014462619695

ダイアモンド基板上炭化珪素並びに関連するデバイス及び方法

発明者：
サクスラー,アダム・ウィリアム

サクスラー,アダム・ウィリアム について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (5件)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  富田 博行 ,  星野 修 ,  大塚 住江
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-148508
公開番号（公開出願番号）：特開2012-238861
出願日： 2012年07月02日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
要約：
【課題】ワイドバンドギャップ材料内に、接合温度低下、動作中の高電力密度化、及び定格電力密度における信頼性向上を達成する高電力デバイスを形成する。【解決手段】SiC層10にSiO2層を形成し、次いで、熱伝導率を高めるためにダイアモンド層11を形成する。そして、SiC層10の厚さを低減し、ダイアモンド層11及びSiC層10の向きを逆にしてダイアモンド11を基板とする。次いで、SiC層10上に、バッファ層16、ヘテロ構造層14及び15を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ワイドバンドギャップのデバイスであって、 ダイアモンド基板と、 前記ダイアモンド基板上に配置されたバッファ層と、 前記バッファ層上に配置された第1の層と、 前記第1の層上に配置されて、該第1の層とヘテロ構造を形成する第2の層と を含んでいることを特徴とするワイドバンドギャップ・デバイス。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L21/20
Fターム (46件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F152LL03 ,  5F152LN12 ,  5F152LP07 ,  5F152LP09 ,  5F152MM05 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM16 ,  5F152MM18 ,  5F152NN02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN06 ,  5F152NN09 ,  5F152NN10 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN22 ,  5F152NP02 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09 ,  5F173AG11 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AR72
引用特許：
審査官引用 (9件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM