特許
J-GLOBAL ID：201403002441825992

試料加工方法

発明者：
川口谷 ひとみ

川口谷 ひとみ について

, 
小 池 三 夫

小 池 三 夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  山ノ井 傑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-025579
公開番号（公開出願番号）：特開2014-153304
出願日： 2013年02月13日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：
【課題】イオンビームにより複数の薄片を作製する場合において、薄片の膜厚のばらつきの発生を抑制することが可能な試料加工方法を提供する。【解決手段】試料1を試料設置部に設置し、試料における複数の薄片形成予定領域14の一側に複数の第1の加工枠12を、他側に複数の第2の加工枠13を設定する。複数の第1の加工枠をイオンビームを発生させたまま順に走査する第1の走査と、複数の第2の加工枠をイオンビームを発生させたまま順に走査する第2の走査とを行うことにより、試料を加工して複数の薄片を形成する。さらに、第1および第2の走査では、加工枠内の領域を走査する第1の走査条件と、加工枠間の領域を走査する第2の走査条件とを異ならせることにより、薄片の形成後に、第1の加工枠間の領域と第2の加工枠間の領域とに額縁部5を残存させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
試料を試料設置部に設置し、 前記試料における複数の薄片形成予定領域の一側に複数の第1の加工枠を、他側に複数の第2の加工枠を設定し、 前記複数の第1の加工枠をイオンビームを発生させたまま順に走査する第1の走査と、前記複数の第2の加工枠をイオンビームを発生させたまま順に走査する第2の走査とを行うことにより、前記試料を加工して複数の薄片を形成する、 ことを含み、 前記第1および第2の走査では、前記加工枠内の領域を走査する第1の走査条件と、前記加工枠間の領域を走査する第2の走査条件とを異ならせることにより、前記薄片の形成後に、前記第1の加工枠間の領域と前記第2の加工枠間の領域とに額縁部を残存させ、 前記第1および第2の走査では、前記加工枠間の各領域を走査する際の第2の滞留時間を、前記加工枠内の各領域を走査する際の第1の滞留時間よりも短くする、または、前記加工枠間の各領域を走査する際の第2の走査速度を、前記加工枠内の各領域を走査する際の第1の走査速度よりも速くする、 試料加工方法。
IPC (3件)：
G01N 1/28 ,  H01J 37/30 ,  H01J 37/317
FI (4件)：
G01N1/28 G ,  H01J37/30 Z ,  H01J37/317 D ,  G01N1/28 F
Fターム (6件)：
2G052EC14 ,  2G052EC18 ,  5C034AB03 ,  5C034AB04 ,  5C034DD05 ,  5C034DD06
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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