特許
J-GLOBAL ID：201403005382876331
III-V族化合物結晶製造方法、種結晶形成基板製造方法、III-V族化合物結晶、半導体装置、III-V族化合物結晶製造装置、種結晶形成基板製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
辻丸 光一郎
, 中山 ゆみ
, 吉田 玲子
, 伊佐治 創
, 李 京佳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-202137
公開番号（公開出願番号）：特開2014-055091
出願日： 2012年09月13日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：
【課題】大サイズで、かつ欠陥が少なく高品質なIII-V族化合物結晶を効率良く製造可能なIII-V族化合物結晶製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に複数のIII-V族化合物種結晶12aが形成された種結晶形成基板を提供する種結晶形成基板提供工程と、複数の種結晶12aの表面を金属融液に接触させる接触工程と、III族元素とV族元素とを金属融液中で反応させることによって、種結晶12aを核としてIII-V族化合物結晶13を生成させ成長させる結晶成長工程とを含み、結晶成長工程において、III-V族化合物結晶13の成長により、複数の種結晶12aから成長した複数のIII-V族化合物結晶13を結合させる、III-V族化合物結晶13の製造方法であって、複数の種結晶12aは、基板11上に形成されたIII-V族化合物層12の一部を物理的な加工により除去して形成された種結晶である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に複数のIII-V族化合物種結晶が形成された種結晶形成基板を提供する種結晶形成基板提供工程と、
前記複数のIII-V族化合物種結晶の表面を金属融液に接触させる接触工程と、
III族元素とV族元素とを前記金属融液中で反応させることによって、前記III-V族化合物種結晶を核としてIII-V族化合物結晶を生成させ成長させる結晶成長工程とを含み、
前記結晶成長工程において、前記III-V族化合物結晶の成長により、前記複数のIII-V族化合物種結晶から成長した複数の前記III-V族化合物結晶を結合させる、III-V族化合物結晶の製造方法であって、
前記複数のIII-V族化合物種結晶が、前記基板上に形成されたIII-V族化合物層の一部を物理的な加工により除去して形成されたIII-V族化合物種結晶であることを特徴とする、
III-V族化合物結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (25件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BE15
, 4G077CG01
, 4G077CG06
, 4G077EA06
, 4G077ED01
, 4G077ED06
, 4G077EE02
, 4G077EE05
, 4G077EE06
, 4G077EG30
, 4G077FG18
, 4G077FH08
, 4G077FJ03
, 4G077FK20
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077QA01
, 4G077QA12
, 4G077QA34
, 4G077QA71
, 4G077QA73
, 4G077QA74
