半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-062969
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187320
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：

【課題】スイッチング時間の低減などの特性を向上させることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1電極、第1導電形の第1半導体領域、第1導電形の第2半導体領域、第2導電形の第3半導体領域、第2導電形の第4半導体領域、第2電極及び第1中間金属膜を含む。第1半導体領域は第1電極の上に設けられ第1不純物濃度を有する。第2半導体領域は第1半導体領域の上に設けられ第1不純物濃度よりも高い第2不純物濃度を有する。第3半導体領域及び第4半導体領域は第2半導体領域の上に設けられる。第3半導体領域は第3不純物濃度を有する。第4半導体領域は第3不純物濃度よりも低い第4不純物濃度を有する。第2電極は第3半導体領域及び第4半導体領域の上に設けられ第3半導体領域とオーミック接触する。第1中間金属膜は第2電極と第4半導体領域との間に設けられ第4半導体領域とショットキー接合する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、前記第1電極の上に設けられ第1不純物濃度を有する第1導電形の第1半導体領域と、前記第1半導体領域の上に設けられ前記第1不純物濃度よりも高い第2不純物濃度を有する第1導電形の第2半導体領域と、前記第2半導体領域の上に設けられ第3不純物濃度を有する第2導電形の第3半導体領域と、前記第2半導体領域の上に設けられ前記第3不純物濃度よりも低い第4不純物濃度を有する第2導電形の第4半導体領域と、前記第3半導体領域及び前記第4半導体領域の上に設けられ前記第3半導体領域とオーミック接触した第2電極と、前記第2電極と前記第4半導体領域との間に設けられ前記第4半導体領域とショットキー接合した第1中間金属膜と、前記第3半導体領域と前記第4半導体領域との間に設けられ、前記第2電極と電気的に接続され、前記第3半導体領域の深さ及び前記第4半導体領域の深さのそれぞれよりも深い導電体と、前記導電体と前記第3半導体領域との間、前記導電体と前記第4半導体領域との間、及び前記導電体と前記第2半導体領域との間に設けられた絶縁膜と、を備えた半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/868 , H01L 29/861 , H01L 21/329 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/41 , H01L 21/28

FI (7件)：

H01L29/91 C , H01L29/91 D , H01L29/91 B , H01L29/91 J , H01L29/48 F , H01L29/44 S , H01L21/28 301R

Fターム (18件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104DD63 , 4M104FF02 , 4M104FF06 , 4M104FF27 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG18

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-250670
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-255729 出願人：株式会社東芝
ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-218800 出願人：株式会社デンソー

全件表示

前のページに戻る