ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：矢作和行 , 野々部泰平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-218800
公開番号（公開出願番号）：特開2008-047565
出願日： 2006年08月10日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】半導体基板の第1面側と第2面側とで対となる電極を有した縦型のダイオードであって、キャリア注入量の低減と高耐圧化を両立することのできるダイオードを提供する。【解決手段】第1導電型(N-)半導体基板1の第1面1S側における表層部に、第2導電型(P)不純物領域2が形成され、基板面内の第2導電型不純物領域2が形成された領域内に、深さの揃った複数の絶縁埋め込みトレンチTが、基板断面において先端が第2導電型不純物領域2から突出するようにして形成され、第1面1S側の電極4が、第2導電型不純物領域2に接続されてなるダイオード100とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板の第1面側と第2面側とで対となる電極を有した、縦型のダイオードであって、前記半導体基板の第1面側における表層部に、第2導電型不純物領域が形成され、基板面内の前記第2導電型不純物領域が形成された領域内に、深さの揃った複数の絶縁埋め込みトレンチが、基板断面において先端が前記第2導電型不純物領域から突出するようにして形成され、前記第1面側の電極が、前記第2導電型不純物領域に接続されてなることを特徴とするダイオード。

IPC (5件)：

H01L 29/861 , H01L 29/739 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/06

FI (6件)：

H01L29/91 D , H01L29/78 655F , H01L29/78 653A , H01L29/78 652N , H01L27/06 102A , H01L27/06 311B

Fターム (16件)：

5F048AA05 , 5F048AA09 , 5F048AB04 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA06 , 5F048BB05 , 5F048BB19 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD07 , 5F048BE09 , 5F048BH01 , 5F048CB07 , 5F048CC06 , 5F048CC18

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-161042 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-001326 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-231511 出願人：新電元工業株式会社

審査官引用 (10件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-351374 出願人：株式会社東芝
プレーナ型半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-281503 出願人：株式会社高岳製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-216987 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る