ノーマリオフ型GaN系電界効果トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 佐々木眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-102217
公開番号（公開出願番号）：特開2011-233695
出願日： 2010年04月27日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

【課題】ゲート耐電圧が高くかつオン抵抗が低減されたノーマリオフ型GaN系FETを提供する。【解決手段】ノーマリオフ型GaN系FETは、第1種GaN系半導体からなるチャネル層4と、このチャネル層上で互いに隔てて設けられた第2種GaN系半導体からなる一対の電子供給層5と、これら電子供給層の間でチャネル層を覆うゲート絶縁膜7と、チャネル層にオーミックコンタクトしているソース電極およびドレイン電極と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え、ゲート絶縁膜はチャネル層上に順次堆積された第1と第2の絶縁層を含み、第1絶縁層7aはSiの酸化物、窒化物および酸窒化物のいずれかからなりかつ5nm以下の厚さを有し、第2絶縁層7bは第1絶縁層に比べて大きなε×Ecを有し、ここでεは誘電率を表し、Ecは絶縁破壊電界を表している。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

ノーマリオフ型GaN系電界効果トランジスタであって、第1種GaN系半導体からなるチャネル層と、前記チャネル層上で互いに離間されて設けられた第2種GaN系半導体からなる一対の電子供給層と、前記一対の電子供給層の間で前記チャネル層を覆うゲート絶縁膜と、前記チャネル層にオーミックコンタクトしているソース電極およびドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極とを備え、前記ゲート絶縁膜は前記チャネル層上に順次堆積された第1と第2の絶縁層を含み、前記第1の絶縁層はSiの酸化物、窒化物および酸窒化物のいずれかからなりかつ5nm以下の厚さを有し、前記第2の絶縁層は前記第1の絶縁層に比べて大きなε×Ecを有し、ここでεは誘電率を表し、Ecは絶縁破壊電界を表すことを特徴とするトランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/786 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 618B , H01L29/78 617U , H01L29/78 301B

Fターム (66件)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F110AA07 , 5F110AA12 , 5F110BB13 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HJ13 , 5F110HK11 , 5F110HK13 , 5F110HK32 , 5F110HK34 , 5F110HK42 , 5F140AA19 , 5F140AA30 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BF43 , 5F140BH27 , 5F140BK13 , 5F140BK17 , 5F140BK33

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-157587 出願人：日本電信電話株式会社
窒化物半導体装置とそれを含む電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-037298 出願人：シャープ株式会社
比誘電率が高い物質として特に使用される多層構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-378528 出願人：メムスカップ

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