特許
J-GLOBAL ID：201403010868379147
炭化珪素半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-204595
公開番号（公開出願番号）：特開2014-060276
出願日： 2012年09月18日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：
【課題】欠陥とショットキー電極との接触による電流パスを低減し、逆方向リーク電流の抑制を図ることで、デバイス歩留まりの向上を図る。【解決手段】p型層8をストライプ状にレイアウトすると共に、各p型層8の長手方向を棒状の積層欠陥と平行な方向、つまりオフ方向と同方向とする。これにより、n-型エピタキシャル層2に形成された積層欠陥などの結晶欠陥の全部もしくは多くを、各p型層8内に入れた状態にできる。したがって、結晶欠陥とショットキー電極との接触による電流パスを低減することが可能となり、逆方向リーク電流の抑制が図れ、デバイス歩留まりを向上することが可能となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
主表面(1a)および裏面(1b)を有し、オフ角を有する第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)と、
前記基板の前記主表面上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、
前記ドリフト層の上に配置され、該ドリフト層におけるセル部に開口部(3a)が形成された絶縁膜(3)と、
前記セル部に形成され、前記絶縁膜の開口部を通じて、前記ドリフト層の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極(4)と、前記基板の裏面に形成されたオーミック電極(5)とを備えてなるショットキーバリアダイオード(10)と、
前記ショットキー電極のうち前記ドリフト層と接する領域の下方に、前記ドリフト層の表面において前記ショットキー電極と接続されるように形成され、かつ、互いに離間して配置された複数の第2導電型層(8)とを備え、
前記複数の第2導電型層と前記ドリフト層とによりPNダイオードが構成され、
前記複数の第2導電型層は棒状の積層欠陥と平行となる方向にのみストライプ状に形成されていることを特徴とするジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/47
, H01L 29/872
, H01L 29/06
, H01L 21/265
H01L29/48 F
, H01L29/48 M
, H01L29/48 D
, H01L29/06 301G
, H01L21/265 Z
, H01L29/06 301V
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104CC03
, 4M104DD26
, 4M104FF02
, 4M104FF11
, 4M104FF32
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH20
