特許
J-GLOBAL ID：201403019143427909

半導体装置および半導体ウェハ

発明者：
石井 泰之

石井 泰之 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (4件)： 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-036426
公開番号（公開出願番号）：特開2014-165403
出願日： 2013年02月26日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：
【課題】ダイシング工程を経て取得される半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】リング領域RRにおいて、シールリングSRの外側にアウターリングOUR1を設け、このアウターリングOUR1の外側にアウターリングOUR2を設ける。これにより、例えば、リング領域RRの外側にあるスクライブ領域SCRをダイシングブレードで切断する際、クラックがリング領域RRに存在するシールリングSRにまで達することを防止できる。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
半導体チップを備え、 前記半導体チップは、 集積回路が形成された回路領域と、 前記回路領域の外側に形成されたリング領域と、を有し、 前記リング領域には、 (a)半導体基板と、 (b)前記半導体基板上に形成されたシールリングと、 (c)前記シールリング上に形成された表面保護膜と、 (d)前記表面保護膜に形成された溝部であって、前記シールリングの外側に形成された前記溝部と、 (e)前記シールリングと前記溝部の間に形成された第1アウターリングと、 (f)前記第1アウターリングの外側に形成された第2アウターリングであって、平面視において、前記溝部と重なるように形成された前記第2アウターリングと、 が形成され、 前記第2アウターリングの上面は、前記溝部の底面から露出していない、半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
H01L21/88 S ,  H01L21/78 L ,  H01L27/04 H
Fターム (29件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033UU01 ,  5F033VV01 ,  5F033VV03 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18 ,  5F038BE07 ,  5F038BH09 ,  5F038CA13 ,  5F038CD18 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ19 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM