半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (18件)：蔵田昌俊 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 勝村紘 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 市原卓三 , 山下元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-290998
公開番号（公開出願番号）：特開2012-138513
出願日： 2010年12月27日
公開日（公表日）： 2012年07月19日
要約：

【課題】半導体装置を高集積化する。【解決手段】本実施形態の半導体装置は、絶縁体内に設けられ、半導体集積回路を含んでいる半導体基板70と、絶縁体の開口部POPを介してその上面が露出するパッド90と、パッド90下方において半導体基板70のキャパシタ領域91内に設けられる複数のキャパシタ1と、を具備し、キャパシタ1は、所定の被覆率を満たすように、パッド90下方のキャパシタ領域91内に設けられ、キャパシタ1の2つの電極にそれぞれ接続されるコンタクト18A,18Gは、開口部POPと上下に重ならない位置に設けられている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

絶縁体内に設けられ、半導体集積回路を含んでいる半導体チップと、前記絶縁体に形成された開口部を介して、その上面が露出するパッドと、前記パッド下方において、前記半導体チップのキャパシタ領域内に設けられる複数のキャパシタと、を具備し、前記キャパシタは、所定の被覆率を満たすように、前記キャパシタ領域内に設けられ、前記キャパシタの2つの電極にそれぞれ接続されるコンタクトは、前記開口部と上下に重ならない位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 27/115 , H01L 21/824 , H01L 27/10 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L27/04 C , H01L21/88 T , H01L27/04 A , H01L27/10 434 , H01L27/10 481 , H01L29/78 371 , H01L27/10 461

Fターム (75件)：

5F033UU05 , 5F033VV04 , 5F033VV07 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033XX17 , 5F033XX19 , 5F033XX31 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC14 , 5F038BE07 , 5F038BE09 , 5F038BH13 , 5F038CA02 , 5F038CA05 , 5F038CA10 , 5F038DF05 , 5F038DT15 , 5F038EZ20 , 5F083AD00 , 5F083BS00 , 5F083EP02 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP76 , 5F083FZ10 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA27 , 5F083GA30 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA04 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA11 , 5F083KA20 , 5F083LA03 , 5F083LA25 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR42 , 5F083PR52 , 5F083ZA08 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA15 , 5F083ZA20 , 5F083ZA29 , 5F083ZA30 , 5F101BA01 , 5F101BA26 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BA45 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD22 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BD36 , 5F101BE01 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BE14 , 5F101BH21 , 5F101BH26

引用特許：

審査官引用 (9件)

少なくとも一つのバンプを有する集積回路
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-549466 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-200276 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
集積半導体回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-161144 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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