特許

J-GLOBAL ID：200903077438032345

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 山田 智之 ,  牛田 文雄 ,  南 孝宜 ,  竹田 重利 ,  坂野 幸司 ,  粟屋 友晴
出願人/特許権者： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-338951
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270720
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】 本発明の課題は、スクライブライン領域を縮小化すると、ウエハ上に形成された半導体装置それぞれを分離するときに発生するクラックが、耐湿リングシールドに達することを防止することにある。【解決手段】 本発明は、半導体基板上に形成された半導体装置であって、素子を有する素子領域と、前記素子領域を囲う耐湿リングと、前記耐湿リングと前記半導体装置の外周端との間であって前記半導体基板上に形成された絶縁層、前記絶縁層中に、前記外周端に沿って延在する第1金属線と、前記絶縁層に形成された溝とを有することを特徴とする半導体装置を提供する。 【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された半導体装置であって、 素子を有する素子領域と、 前記素子領域を囲う耐湿リングと、前記耐湿リングと前記半導体装置の外周端との間であって前記半導体基板上に形成された絶縁層、 前記絶縁層中に、前記外周端に沿って延在する第1金属線と、 前記絶縁層に形成された溝と を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L21/88 S ,  H01L27/04 A

Fターム (41件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM23 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033UU01 ,  5F033VV01 ,  5F033VV03 ,  5F033XX14 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F038BH10 ,  5F038CA05 ,  5F038CA13 ,  5F038CA18 ,  5F038CD10 ,  5F038EZ19 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-006966   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-206638   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (7件)

• 半導体装置の製造方法、半導体ウエハおよび半導体装置
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2004000583   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-264014   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-076962   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-223343   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-313706   出願人：富士通株式会社
• 半導体集積回路装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-093671   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• 半導体集積回路装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-067165   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社