特許
J-GLOBAL ID：201403019697872360

ふっ素を含有する配位高分子錯体、ガス吸着材、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置

発明者：
上代 洋

上代 洋 について

, 
玉井 宏和

玉井 宏和 について

, 
能勢 幸一

能勢 幸一 について

, 
北川 進

北川 進 について

, 
松田 亮太郎

松田 亮太郎 について

, 
佐藤 弘志

佐藤 弘志 について

, 
全 亨濬

全 亨濬 について


出願人/特許権者：
新日鐵住金株式会社

新日鐵住金株式会社 について

, 
国立大学法人京都大学

国立大学法人京都大学 について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  永坂 友康 ,  小林 良博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-042089
公開番号（公開出願番号）：特開2014-169248
出願日： 2013年03月04日
公開日（公表日）： 2014年09月18日
要約：
【課題】新規な多孔性高分子金属錯体及びこれを用いた優れた特性を有するガス吸着材を提供すること。前記特性を有するガス吸着材を内部に収容してなるガス貯蔵装置およびガス分離装置を併せて提供すること。【解決手段】次式(1) [MXYq]n (1)(式中、Mは2価の遷移金属イオン、Xは炭素数1から10であるパーフルオロアルキル基を少なくとも1個以上及び、カルボキシル基を2個含有する芳香族配位子、Yはピリジル型の第2配位子である。qは0または1である。nは、[MXYq]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。)で表され、金属イオンは4個の上記配位子の配位を受けた二次元四角格子の積層型ネットワーク構造を有していることを特徴とする新規な多孔性高分子金属錯体と、それのガス吸着材としての利用ならびにこれを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記式(1) [MXYq]n (1) (式中、Mは2価の遷移金属イオン、Xは炭素数1から10であるパーフルオロアルキル基を少なくとも1個以上及びカルボキシル基を2個含有する芳香族配位子、Yはピリジル型の第2配位子である。qは0または1である。nは、[MXYq]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。) で表され、金属イオンは4個の上記配位子の配位を受けた二次元四角格子の積層型ネットワーク構造を有している多孔性高分子金属錯体。
IPC (5件)：
C07D 213/26 ,  B01J 20/26 ,  B01D 53/02 ,  C07D 401/14 ,  F17C 11/00
FI (5件)：
C07D213/26 ,  B01J20/26 A ,  B01D53/02 Z ,  C07D401/14 ,  F17C11/00 A
Fターム (32件)：
3E172AA02 ,  3E172AA09 ,  3E172AB20 ,  3E172BA09 ,  3E172BD03 ,  3E172BD05 ,  3E172FA07 ,  4C055AA01 ,  4C055BA01 ,  4C055CA01 ,  4C055DA13 ,  4C055DA25 ,  4C055DB02 ,  4C055EA01 ,  4C055GA02 ,  4C063AA03 ,  4C063BB01 ,  4C063CC47 ,  4C063DD12 ,  4C063EE10 ,  4D012BA01 ,  4D012CA03 ,  4D012CG01 ,  4D012CG02 ,  4G066AC11B ,  4G066AC33B ,  4G066AC35B ,  4G066BA22 ,  4G066BA31 ,  4G066BA36 ,  4G066CA35 ,  4G066DA01
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (10件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM