特許
J-GLOBAL ID：201403019853129478
選択基板の両面に部品を有する集積回路、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-517185
公開番号（公開出願番号）：特表2014-523644
出願日： 2012年06月21日
公開日（公表日）： 2014年09月11日
要約：
新規の集積回路(SOI IC)並びにICの製造方法及び実装方法を開示する。一実施形態において、ICは、SOIウェーハのアクティブ層から形成された当該ICの第1の回路層を有する。第1の回路層はバッファ層の第1表面に結合され、バッファ層の第2表面は、絶縁材料を有する選択基板に結合されている。選択基板は、限定ではないが、サファイア、石英、二酸化シリコンガラス、圧電材料及びセラミックから選択され得る。選択基板の第2表面に結合されてICの第2の回路層が形成される。マウントされたICの一実施形態において、第1の回路層は半田バンプ又は銅ピラーを介してパッケージ基板のコンタクトパッドに結合される。第2の回路層はワイヤボンドを介してパッケージ基板のコンタクトパッドに結合される。パッケージ基板上のインターコネクトが、第1の回路層、第2の回路層及び外部回路コンポーネントの間の結合を提供する。一実施形態において、ICを製造する方法は、アクティブ層とシリコン基板との間にバッファが配置されたSOIウェーハのアクティブ層から第1の回路層を形成し、シリコン基板を除去し、バッファ層に選択基板を結合し、選択基板に結合して第2の回路層を形成する工程群を有する。
請求項（抜粋）：
第1の回路層と第2の回路層とを有する集積回路(IC)を製造する方法であって、
a)シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハのアクティブ層から前記第1の回路層を形成し、前記SOIウェーハは、前記アクティブ層と、前記アクティブ層に結合されたバッファ層と、前記バッファ層に結合されたシリコン基板とを有し、
b)前記シリコン基板を前記バッファ層から除去し、
c)選択された基板の第1表面に前記バッファ層を結合し、且つ
d)前記選択された基板の第2表面上に前記第2の回路層を形成する、
ことを有する方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/00 301B
, H01L27/00 301W
, H01L21/02 B
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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