特許
J-GLOBAL ID：201403020228862254
真空加熱炉及び有機半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
西川 惠清
, 水尻 勝久
, 竹尾 由重
, 時岡 恭平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-263283
公開番号（公開出願番号）：特開2014-110294
出願日： 2012年11月30日
公開日（公表日）： 2014年06月12日
要約：
【課題】複数の基板の加熱及び冷却を効率よく行うことができる真空加熱炉を提供する。【解決手段】複数の基板Sを真空中で加熱する真空加熱炉Aに関する。複数の基板Sを真空中で加熱するための加熱空間1と、加熱後の複数の基板Sを真空中で冷却するための冷却空間2とが設けられている。複数の基板Sを略平行に配置して保持し、加熱空間1と冷却空間2との間を複数の基板Sの表面と垂直な方向に移動可能な保持体3と、冷却源によって冷却され、冷却空間2を形成する冷却体4とを備えている。冷却体4は、複数の基板Sを輻射によって冷却するための輻射構造5を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の基板を真空中で加熱する真空加熱炉であって、
前記複数の基板を真空中で加熱するための加熱空間と、加熱後の前記複数の基板を真空中で冷却するための冷却空間とが設けられ、
前記複数の基板を略平行に配置して保持し、前記加熱空間と前記冷却空間との間を前記複数の基板の表面と垂直な方向に移動可能な保持体と、
冷却源によって冷却され、前記冷却空間を形成する冷却体とを備え、
前記冷却体は、前記複数の基板を輻射によって冷却するための輻射構造を有することを特徴とする、真空加熱炉。
IPC (3件)：
H01L 21/324
, H01L 51/50
, H05B 33/10
H01L21/324 G
, H05B33/14 A
, H05B33/10
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC23
, 3K107CC45
, 3K107FF05
, 3K107FF08
, 3K107FF15
, 3K107FF16
, 3K107FF17
, 3K107GG26
, 3K107GG31
, 3K107GG42
