特許
J-GLOBAL ID:201403029902889853

液晶表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-270480
公開番号(公開出願番号):特開2013-065041
特許番号:特許第5587391号
出願日: 2012年12月11日
公開日(公表日): 2013年04月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】互いに対向して配置された一対の第1及び第2の基板と;該一対の基板の少なくとも一方の基板上に絶縁層を介して形成された異なる電位を印加可能な画素電極及び共通電極と;前記一対の基板間に配置され、負の誘電率異方性の液晶材料を含み、且つ電圧無印加状態において液晶分子が基板面に略平行配向する液晶層と;該液晶層を挟持して配置され、且つ吸収軸を互いに直交にして配置された一対の第1及び第2の偏光膜と;を有し、前記画素電極と共通電極に形成された電界により液晶層の配向を制御するFFS(フリンジフィールドスイッチング)モードの液晶表示装置であって、 前記画素電極は線状に複数形成されており、前記画素電極の間隔は2〜10μmであり、 前記第2の偏光膜と前記液晶層との間に、下記式(VII)を満たす第1の光学異方性層及び下記式(VIII)を満たす第2の光学異方性層が、互いの面内遅相軸を直交又は平行にして配置されており、 前記第1の偏光膜と、前記一対の基板のうち該第1の偏光膜により近い位置に配置された第1の基板との間に、下記式(I)を満足するセルロースアシレートフィルムを有するFFSモードの液晶表示装置: (I)0nm ≦ Re ≦ 10nm、且つ|Rth| ≦ 25nm (VII) 252.5nm≦Re≦292.5nm、且つ-118.1nm≦Rth≦-18.1nm (VIII) 252.5nm≦Re≦292.5nm、且つ18.1nm≦Rth≦118.1nm 上記式中、Reは、波長550nmにおける正面レターデーション値(nm)を表し、Rthは、波長550nmにおける膜厚方向のレターデーション値(nm)を表す。
IPC (3件):
G02F 1/1336 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1343 ( 200 6.01) ,  G02F 1/1335 ( 200 6.01)
FI (3件):
G02F 1/133 3 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/133 510
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 液晶表示装置および電子機器
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-101299   出願人:セイコーエプソン株式会社
  • 液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-138600   出願人:富士写真フイルム株式会社
  • 液晶パネル及び液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-150310   出願人:日東電工株式会社
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審査官引用 (6件)
  • 液晶パネル及び液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-150310   出願人:日東電工株式会社
  • 液晶表示装置および電子機器
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-101299   出願人:セイコーエプソン株式会社
  • 液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-138600   出願人:富士写真フイルム株式会社
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