特許

J-GLOBAL ID：201403030678293344

半導体構造物、半導体装置及び該半導体構造物の製造方法

発明者： 児島 一聡 ,  紀 世陽 ,  宮澤 哲哉 ,  土田 秀一 ,  中山 浩二 ,  逸見 哲郎 ,  浅野 勝則
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  一般財団法人電力中央研究所 ,  関西電力株式会社
代理人 (1件)： 塩田 伸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-158582
公開番号（公開出願番号）：特開2014-045183
出願日： 2013年07月31日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：

【課題】機械的強度に優れ、かつ、導電時の抵抗を低減可能な半導体構造物、半導体装置及び該半導体構造物の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体構造物は、少なくとも、α型の結晶構造を有し、アルミニウムを1×1019cm-3以上の不純物濃度で含み、かつ厚みが50μm以上であるp型炭化珪素単結晶層を有することを特徴とする。また、本発明の半導体構造物の製造方法は、少なくとも、炭化珪素源及びアルミニウム源を導入してp型炭化珪素単結晶層をα型の結晶構造を有する炭化珪素単結晶の下地層上にエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程を有し、前記エピタキシャル成長工程が、1,500°C以上1,700°C以下の温度条件及び5×103Pa以上25×103Pa以下の圧力条件で実施されることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、α型の結晶構造を有し、アルミニウムを1×1019cm-3以上の不純物濃度で含み、かつ厚みが50μm以上であるp型炭化珪素単結晶層を有することを特徴とする半導体構造物。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/739

FI (4件)：

H01L21/205 ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 655Z

Fターム (13件)：

5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045BB04 ,  5F045CA01 ,  5F045DA59 ,  5F045DA66 ,  5F045GH08

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体基板および半導体装置、半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-306029   出願人：株式会社東芝
• p型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-018027   出願人：トヨタ自動車株式会社
• バイポーラ半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-170617   出願人：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所
• 炭化珪素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-022001   出願人：株式会社東芝
• 炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-134305   出願人：新日本製鐵株式会社
• バイポーラ型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-211296   出願人：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所