特許
J-GLOBAL ID：201403033111328391

原子層堆積装置及び原子層堆積方法

発明者：
長井 博之

長井 博之 について

, 
桑山 哲朗

桑山 哲朗 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (6件)： 大森 純一 ,  折居 章 ,  中村 哲平 ,  吉田 望 ,  金子 彩子 ,  金山 慎太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-099016
公開番号（公開出願番号）：特開2014-220398
出願日： 2013年05月09日
公開日（公表日）： 2014年11月20日
要約：
【課題】均一な薄膜を形成可能な原子層堆積装置を提供する。【解決手段】原子層堆積装置は成膜室と保持部と供給機構と排気機構とを具備する。上記成膜室は密閉可能である。上記保持部は、成膜面を有する基板を上記成膜室内に保持する。上記供給機構は、ガスを供給するガス供給源に接続される導入部を有し、上記導入部に導入されたガスを、上記成膜面に対向する位置から上記成膜室に供給する。上記排気機構は、ポンプに接続される排出部を有し、上記成膜面に対向する位置から、上記成膜室を排気する。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
密閉可能な成膜室と、 成膜面を有する基板を前記成膜室内に保持する保持部と、 ガスを供給するガス供給源に接続される導入部を有し、前記導入部に導入されたガスを、前記成膜面に対向する位置から前記成膜室に供給する供給機構と、 ガスを排出可能な排気機構に接続される排出部を有し、前記成膜面に対向する位置から、前記成膜室を排気する排気機構と を具備する原子層堆積装置。
IPC (5件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50
FI (6件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/31 C ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 X ,  C23C16/455 ,  C23C16/50
Fターム (33件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA43 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB39 ,  5F045BB02 ,  5F045CA13 ,  5F045DP03 ,  5F045DP19 ,  5F045EE14 ,  5F045EE17 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05 ,  5F045EG03 ,  5F045EH18 ,  5F058BA06 ,  5F058BC03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BG01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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