特許
J-GLOBAL ID：201403043130287430

基板処理装置、および基板処理方法

発明者：
泉本 賢治

泉本 賢治 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-180816
公開番号（公開出願番号）：特開2014-038949
出願日： 2012年08月17日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：
【課題】処理液の消費量と処理時間とを抑制しつつ基板の周縁部の化学処理を行う。【解決手段】基板処理装置は、基板を略水平姿勢にて回転させつつ基板の周縁部の化学処理を行うに際して、基板の周縁部に加熱用の水蒸気を噴射して当該周縁部を加熱する。また、基板の上面のうち基板の周縁部の回転軌跡で囲まれた範囲内に規定された所定の噴射目標領域に向けて基板の上方から気体を噴射することにより、噴射目標領域から基板の周縁部に向かって流れる気体流を基板上に生成させる。加熱用の水蒸気から受け取る熱によって基板の周縁部の温度低下が抑制されることによって、処理液の化学活性度の低下が抑制され、基板の処理が迅速に進む。また、基板の上面を周縁部に向けて流れる気体流を基板上に生成させることにより、水蒸気が凝縮したミストや処理液などが基板の中心側に付着しにくくなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
温度によって化学活性度が変化する処理液を用いて基板の化学処理を行う基板処理装置であって、 基板を略水平姿勢にて保持する基板保持部と、 前記基板保持手段に保持された前記基板を略水平面内にて回転させる回転部と、 前記基板の周縁部に加熱用の水蒸気を噴射して当該周縁部を加熱する加熱部と、 前記加熱部によって加熱された前記周縁部に上方から処理液を供給して前記周縁部の化学処理を行う周縁処理部と、 前記基板の上面のうち前記基板の前記周縁部の回転軌跡で囲まれた範囲内に規定された所定の噴射目標領域に向けて前記基板の上方から気体を噴射することにより、前記噴射目標領域から前記基板の前記周縁部に向かって流れる気体流を基板上に生成させる気体噴射部と、 を備えた基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L21/304 643A ,  H01L21/306 R
Fターム (19件)：
5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE10 ,  5F157AA12 ,  5F157AA14 ,  5F157AA15 ,  5F157AA76 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC26 ,  5F157BB23 ,  5F157BH18 ,  5F157BH21 ,  5F157CB01 ,  5F157CB13 ,  5F157CF34
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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