特許
J-GLOBAL ID：201403043980604787

半導体装置の作製方法

発明者：
高橋 秀和

高橋 秀和 について

, 
杉山 栄二

杉山 栄二 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-196755
公開番号（公開出願番号）：特開2012-248895
特許番号：特許第5600714号
出願日： 2012年09月07日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に第1の導電層を形成し、 前記第1の導電層上に接する第2の導電層を形成し、 前記第2の導電層にレーザービームを照射し、前記第1の導電層と前記第2の導電層の両方を溶融させ、前記第1の導電層と前記第2の導電層とが接する面積を増加させ、 前記第2の導電層は、金、銀、又は銅の導電性粒子と、樹脂と、を含んでおり、 前記第1の導電層は、前記溶融によって凹部を有し、 前記第1の導電層は、前記凹部において、前記第2の導電層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  G06K 19/07 ( 200 6.01) ,  G06K 19/077 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/88 A ,  G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 K
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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