特許
J-GLOBAL ID:201403046076787269

圧電膜素子及びそれを備えた圧電膜デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 絹谷 信雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-204432
公開番号(公開出願番号):特開2014-060267
出願日: 2012年09月18日
公開日(公表日): 2014年04月03日
要約:
【課題】長期使用において十分な信頼性を持つ、即ち、長期使用においてKNN圧電膜の絶縁性が劣化しにくい実用的な圧電膜素子を提供する。【解決手段】基板11と、基板11上に設けられた下部電極構造12と、下部電極構造12上に設けられたKNN圧電膜13と、KNN圧電膜13上に設けられた少なくとも1つの拡散防止構造14と、拡散防止構造14上に設けられた上部電極構造15と、を備え、上部電極構造15は、Au層からなる上部電極16を有し、拡散防止構造14は、KNN圧電膜13側から順に、中間密着層17と、中間密着層17上に設けられると共に上部電極16からKNN圧電膜13へのAuの拡散を防止するAu拡散防止層18と、を有する圧電膜素子10である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板と、 前記基板上に設けられた下部電極構造と、 前記下部電極構造上に設けられたKNN圧電膜と、 前記KNN圧電膜上に設けられた少なくとも1つの拡散防止構造と、 前記拡散防止構造上に設けられた上部電極構造と、 を備え、 前記上部電極構造は、Au層からなる上部電極を有し、 前記拡散防止構造は、前記KNN圧電膜側から順に、中間密着層と、前記中間密着層上に設けられると共に前記上部電極から前記KNN圧電膜へのAuの拡散を防止するAu拡散防止層と、を有することを特徴とする圧電膜素子。
IPC (4件):
H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18
FI (5件):
H01L41/08 L ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101Z
引用特許:
審査官引用 (8件)
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