特許
J-GLOBAL ID：201403051709723846

半導体装置

発明者：
原園 文一

原園 文一 について


出願人/特許権者：
マイクロモジュールテクノロジー株式会社

マイクロモジュールテクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人湘洋内外特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-205618
公開番号（公開出願番号）：特開2014-060325
出願日： 2012年09月19日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：
【課題】半導体装置の更なる小型化を実現する。【解決手段】半導体装置10であって、基板18上に設けられたスイッチング素子(FET14)と、スイッチング素子を挟んで基板18と反対側に設けられた第1の電極(電極13)と、第1の電極を挟んでスイッチング素子と反対側に設けられたダイオード12と、ダイオード12を挟んで第1の電極と反対側に設けられた第2の電極(電極11)とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体装置であって、 基板上に設けられたスイッチング素子と、 前記スイッチング素子を挟んで前記基板と反対側に設けられた第1の電極と、 前記第1の電極を挟んで前記スイッチング素子と反対側に設けられたダイオードと、 前記ダイオードを挟んで前記第1の電極と反対側に設けられた第2の電極と を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 25/18 ,  H01L 25/07
FI (1件)：
H01L25/04 C
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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