特許
J-GLOBAL ID：201403053854186649

レーザー加工方法

発明者：
武田 昇

武田 昇 について

, 
森數 洋司

森數 洋司 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (3件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子 ,  増田 さやか
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-101557
公開番号（公開出願番号）：特開2014-221483
出願日： 2013年05月13日
公開日（公表日）： 2014年11月27日
要約：
【課題】単結晶基板を分割予定ラインに沿って効率よく個々のチップに分割することができるとともに、チップの品質を低下させないレーザー加工方法を提供する。【解決手段】単結晶基板にパルスレーザー光線を照射して加工を施すレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線を集光する集光レンズの開口数(NA)を単結晶基板の屈折率(N)で除した値が0.05〜0.2の範囲で集光レンズの開口数(NA)を設定する開口数設定工程と、パルスレーザー光線の集光点が単結晶基板の厚み方向の所望の位置に位置付けられるように集光レンズと単結晶基板とを相対的に光軸方向に位置付ける位置付け工程と、パルスレーザー光線を照射して単結晶基板に位置付けられた集光点とパルスレーザー光線が入射された側との間に細孔と細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程とを含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
単結晶基板にパルスレーザー光線を照射して加工を施すレーザー加工方法であって、 パルスレーザー光線を集光する集光レンズの開口数(NA)を単結晶基板の屈折率(N)で除した値が0.05〜0.2の範囲で集光レンズの開口数(NA)を設定する開口数設定工程と、 パルスレーザー光線の集光点が単結晶基板の厚み方向の所望の位置に位置付けられるように集光レンズと単結晶基板とを相対的に光軸方向に位置付ける位置付け工程と、 パルスレーザー光線を照射して単結晶基板に位置付けられた集光点とパルスレーザー光線が入射された側との間に細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程と、を含む、 ことを特徴とするレーザー加工方法。
IPC (5件)：
B23K 26/40 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/064 ,  B23K 26/046 ,  H01L 21/301
FI (6件)：
B23K26/40 ,  B23K26/00 H ,  B23K26/06 A ,  B23K26/04 C ,  B23K26/00 N ,  H01L21/78 B
Fターム (27件)：
4E068CA01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA07 ,  4E068CA11 ,  4E068CA14 ,  4E068CA15 ,  4E068CC02 ,  4E068CD01 ,  4E068CE04 ,  4E068CE09 ,  4E068DA10 ,  4E068DB11 ,  5F063AA15 ,  5F063BA43 ,  5F063BA45 ,  5F063BA47 ,  5F063CB07 ,  5F063CB29 ,  5F063DD27 ,  5F063DD32 ,  5F063DD69 ,  5F063DD75 ,  5F063DE02 ,  5F063DE17 ,  5F063DE33
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM