特許
J-GLOBAL ID：200903099479755614

窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者：
好田 慎一

好田 慎一 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  皆川 祐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-187458
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049390
出願日： 2008年07月18日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
【課題】レーザ加工に起因する基板表面の付着物を低減して、素子の信頼性等を向上することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】ウエハ5は、切断予定ライン7に沿って、レーザ光9による走査を受ける。レーザ光9が走査される位置において、ウエハ5の表面にレーザ光9が集光される。これにより、多光子吸収が生じ、分割ガイド溝31が形成される。このとき、ウエハ5の材料がデブリとなって周囲に飛び散り、ウエハ5の表面に付着する。そこで、切断予定ライン7に沿って、低エネルギー密度のレーザ光9により、ウエハ5の表面が走査される。ウエハ5の表面のデブリはそのレーザ光9を吸収して昇華し、ウエハ5の表面から排除される。その後、分割ガイド溝31から、ウエハ5が分割される。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体層を主面に成長させた基板の表面に対して、多光子吸収が生じる波長およびエネルギー密度のレーザ光を照射し、分割ガイド溝を形成する工程と、 前記基板の表面に対して前記波長のレーザ光を前記基板での多光子吸収が実質的に生じないエネルギー密度で照射し、基板表面の付着物を除去する工程と、 前記分割ガイド溝に沿って前記基板を分割する工程とを含む、窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/16
FI (6件)：
H01S5/323 610 ,  H01L21/78 V ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 Q ,  B23K26/00 D ,  B23K26/16
Fターム (21件)：
4E068AA05 ,  4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA08 ,  4E068CA11 ,  4E068CA17 ,  4E068CE01 ,  4E068CG00 ,  4E068DA09 ,  5F173AA08 ,  5F173AG12 ,  5F173AG17 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AP93 ,  5F173AP95 ,  5F173AQ04 ,  5F173AQ05 ,  5F173AR92
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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